Помощь новичкам. Вопросы задаем ЗДЕСЬ

НЕК 4551А
Оптиарк AD-7203A

в этих ромах как с диодами ?

 

вот собсно нашёл...аккамуляторные батарейки) на них написано BYD BATATERY
AAA SIZE 1.2 600mAh таких имеется 3 штуки)можно ли их использовать для питания ЛД и подскажите какой драйвер использовать лучше..ЛД простой dvd16х

 

попробуй его нагреть паяльником чуть и померь сопротивления в разных направлениях может это не резистор а резистор с диодом паралельно в одном корпусе, возможено во вермя заряда идёт ток через резистор на аккумулятор а во время работы через диод....

 

Лучше всего Step-down (понижающий) преобразователь или хороший Low dropout стабилизатор напряжения. Конкретных схем не подскажу, т.к. ничего из мною перечисленого на этом форуме я не встречал. Хотя найти что-то приблженное можно. Да и фонарик можно купить уже под эти элементы.

 

Требуется помощь
фотодиоды находятся на расстоянии 50 100 200 300 метров
лазерный луч можно и не видимый, диаметр луча примерно 30 мм- 50 мм на 50 метрах.

Главная задача чтобы фотодиод срабатывал на этих расстояниях в случаи засветки лазером, при этом желательно использование наиболее слабых лазеров 1-2 класса (безопасность для людей)
1 возможно или нет?
2 возможно ли увеличить площадь приема фотодиода?
3 возможно настроить толщину луча чтобы он на расстоянии 50 метров был размером в 150мм? и каким размером в этом случае будет луч на растоянии в 100 200 и 300метров?

 

Благодарю за совет хоть кто то что-то предложил. вечером проверю. Хотя мне кажется что все это гараздо проше. седня днем поишю по номиналу в нете

 

поиск ни чего не дал мож кто знает (VTD\ P 175EL \KDE6(косой разделены строчки)) HELP всетаки интересно что это и как работает

 

Кто нибудь запитывал такой лазер ИЛПН-108 подскажите плиз.

 

Да, но что нам мешает кроме инструкции запитать его в постоянном режиме, но с меньшими токами? С лазерными диодами тз двд мы ведь так и поступаем.

 

Что нам мешает? Ток зажигания, который скорее всего гораздо выше допустимого постоянного... На то диод и импульсный. Он расчитан на работу с большими мощностями, но моментально перегревается. Потери в этом ЛД гораздо выше, чем в обычном. Особненности конструкции...
А что вам мешает запитать его через асимметричный мультивибратор?

 

Ребята , прекратите хернёй страдать , я уже ответил на все вопросы в теме про драйвера.

all теперь тебе надеюсь понятно почему нельзя дублировать темы,МЛЯТЬ. ИЛПН - непрерывный. Первая И-это режим :инжекционный.

 

ИНЖЕКЦИОННЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ЛАЗЕР

Изобретение относится к области мощных (от 500 мВт до 5 Вт) инжекционных полупроводниковых лазеров, предназначенных для использования в различных областях науки и техники, например медицине, автоматике и робототехнике, связи, в том числе космической, спектрометрии, геологии и т.д. Сущность изобретения: в инжекционном полупроводниковом лазере, изготовленном на основе гетероструктуры, с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, содержащем набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое, изолирующий слой, нанесенный в межполосковых областях, и сплошной металлический слой , расположенный сверху гетероструктуры и предназначенный для подвода тока к лазеру, упомянутый выше изолирующий слой выполнен из поликристаллического кремния с удельным электрическим сопротивлением не менее 1234567667890- = 2 10-3 Ом см2 и толщиной в диапазоне 0,1 - 0,5 мкм.

Известен маломощный инжекционный полупроводниковый лазер на основе гетероструктуры AlyGa1-yAs-GaAs-InxGa1-xAs с эмиттерными слоями и помещенной между ними активной областью, представляющий собой набор параллельно расположенных мезаполосок шириной 3 мкм с основаниями, расположенными в ближайшем эмиттерном слое, и изолирующим слоем из естественного оксида алюминия Al2O3 .

Данная конструкция позволяет изготавливать лазеры с выходной оптической мощностью порядка 100 мВт, однако дальнейшее увеличение мощности при такой конструкции лазера возможно лишь при существенном уменьшении срока службы из-за перегрева кристалла вследствие недостаточно эффективного отвода тепла, связанного с недостаточной теплопроводностью изолирующего слоя из Al2O3 (коэффициент теплопроводности оксида алюминия составляет 0,04 Вт/смград).
Инжекционный полупроводниковый лазер изготовлен на основе подложки с нижним эмиттерным слоем и верхним эмиттерным слоем с расположенной между ними активной областью . Полупроводниковый лазер содержит набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое . В межполосковых областях нанесен изолирующий слой 6 из поликристаллического кремния Si с удельным электрическим сопротивлением = 210-3 Омсм2 и толщиной 0,1 - 0,5 мкм. Сверху гетероструктуры для подвода тока к лазеру нанесен сплошной металлический слой .

Технология изготовления инжекционного полупроводникового лазера состоит из следующих основных этапов.

На подложке эпитаксиально последовательно выращиваются эмиттерные слои и с промежуточной активной областью , например, методом молекулярно-лучевой эпитаксии. Далее изготавливается набор параллельно расположенных мезаполосок с основаниями, находящимися в ближайшем к ним эмиттерном слое , например, с использованием литографического процесса и ионного травления.

После этого производят нанесение поликристаллического кремния в межполосковые области, например, методом магнетронного распыления на постоянном токе. После изготовления изоляционного слоя на поверхность гетероструктуры наносят сплошной металлический слой , например, методом вакуумно-термического испарения.

Пример 1. Изготовлен инжекционный квантово-размерный с раздельным ограничением на основе двойной гетероструктуры AlGaAs/GaAs полупроводниковый лазер.

Технология изготовления состоит из следующих основных этапов. На подложке из арсенида галлия GaAs n-типа проводимости последовательно выращиваются эмиттерные слои AlGaAs с промежуточной активной областью методом молекулярной лучевой эпитаксии. Используя метод фотолитографии и сухого ионного травления, формируется в p-типе эмиттерном слое мезаполосковый рисунок с шириной полоска 4/4 мкм и общей длиной 100 мкм. В межполосковые ямки травления методом магнетронного распыления на постоянном токе наносится слой поликристаллического кремния толщиной 0,3 мкм. После удаления фоторезистивной маски на поверхность гетероструктуры методом вакуумного термического испарения наносится слой золота.

 

Хорошо попробую проще...........Лазер на р—n-переходе представляет собой полупроводниковый диод, у которого две плоскопараллельные поверхности, перпендикулярные р—n-переходу , образуют оптический резонатор (коэффициент отражения от граней кристалла Полупроводниковый лазер.......20—40%). Инверсия населённостей достигается при большой плотности прямого тока через диод (порог генерации соответствует току 1 кА/см2, а при пониженной температуре 100 A/см2). Для получения достаточно интенсивной инжекции применяют сильно легированные полупроводники. Так понятней?

 

Ну почему сразу не делали,цели и область применения а также качество со сроком службы и т.д. Вот приоритет.

 

Есть осцилограф.Где то слышал с помощью него можно выставить ПРАВИЛЬНЫЙ ток т.е. ток при котором диод уходит в насыщение.

Как это сделать ?