Полупроводниковые лазеры ИК-диапазона импульсного режима работы ЛПИ-101 ÷ ЛПИ-122.

Вступление. Излучатели полупроводниковых лазеров произвели в своё время революцию в военной технике в качестве малогабаритных мощных источников лазерного излучения. Но для их применения в специзделиях требовались индивидуальные генераторы тока накачки. Если же возникала необходимость их использования в количестве до 8 штук в одном специзделии, то появлялись массо-габаритные ограничения на область их применения. Необходимость управления высокоскоростными и малоразмерными объектами в составе изделий спецтехники в условиях пониженной видимости и в экстремальных климатических условиях потребовала замены излучателей полупроводниковых лазеров собственно лазерами. Как известно, термин «лазеры» в отечественной классификации полупроводниковых квантовых генераторов относится к устройствам, содержащим интегральный драйвер, нагрузкой которого является лазерный диод. В полупроводниковых лазерах импульсного режима работы в качестве драйвера используется генератор импульсов тока накачки.
Полупроводниковые инжекционные лазеры импульсного режима работы используются в качестве источников лазерного излучения ИК – диапазона в устройствах специального и общегражданского назначения, а также в лазерной медицинской технике.
1. Полупроводниковые инжекционные гетеролазеры малой мощности.
1.1. ЛПИ-101.
http://stat.medikosnab.ru/items/1610/1541.jpg
http://www.155la3.ru/images/lpi102_3.jpg
Это первый отечественный лазер, разработанный ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускающийся серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
ЛПИ-101 содержит простейший интегральный генератор импульсов тока накачки, представляющий собой всего лишь разрядный контур, состоящий из накопительной ёмкости C1+C2, лазерного диода VD1 и пары динисторов VS1 и VS2. Динисторы включены последовательно и специально подобраны по параметрам, как близнецы-братья. Суммарное напряжение включения этой пары превышает напряжение питания лазера лишь на несколько вольт. На VS2 подаётся положительный импульс запуска амплитудой превышающей напряжение его включения. После открывания VS2 всё напряжение питания падает на VS1, и он открывается также. Через открытые VS1 и VS2, а также через VD1 происходит разряд емкостей контура. Таким образом, формируется импульс тока накачки.
Заряжаются C1+C2 во время паузы между импульсами запуска через зарядный резистор R, включённый параллельно VD1, что, конечно же, уменьшает к.п.д. схемы, т.к. часть тока при разряде бесполезно теряется на этом резисторе.
Другим недостатком схемы является требование к большой величине тока удержания обоих динисторов, т.к. схема заряда не отключается при разряде емкостей контура и ток заряда может помешать закрыванию VS1 и VS2.
Ещё одним недостатком схемы является большая величина амплитуды импульса запуска, препятствующая использованию запускающих генераторов на базе TTL-логики.
Использование пары динисторов, которые, вообще-то говоря, включаются неодновременно, приводит к следующим неприятностям:
- «дрожанию» переднего фронта импульса излучения в пределах 1,5 нс;
- задержке фотоответа лазера относительно переднего фронта импульса запуска вдвое большей, чем при использовании одного ключа;
- «дрожанию» вершины импульса излучения в пределах 11 %.
Лазерный диод VD1 – импульсный, многомодовый, ИК-диапазона. Лазерный кристалл изготовлен из эпитаксиальной двойной гетероструктуры (ДГС) на основе GaAs/AlGaAs.
Использование всего одного кристалла ДГС, имеющей малые запасы по мощности, ограничивает предельную мощность лазера величиной 3 Вт. Двухлепестковая диаграмма направленности излучения, свойственная этой структуре, приводит к большим потерям мощности при измерении её в стандартном телесном угле 40°.
Динисторы, кристаллы которых изготовлены из эпитаксиальной четырёхслойной структуры на основе GaAs, как и ЛД, собраны на миниатюрных контактных пластинах с проволочным выводом от верхней. Все они напаиваются на корпус легкоплавкими припоями, что, тем не менее, вредно сказывается на их параметрах и препятствует оперативной замене элемента, вышедшего из строя.
Герметизация крышки с корпусом производится, скорее всего, конденсаторной или лазерной сваркой.
Технические характеристики: http://www.155la3.ru/datafiles/lpi1xx.pdf
Схема включения:
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...1c62570aa00619485/$FILE/shema_zap_LPI-101.pdf
Здесь делитель R1/R2 предназначен для «подпирания» динистора VS2 лазера постоянным напряжением для более надёжного его открывания импульсами запуска. И это - при такой большой их амплитуде! Делитель должен быть высокоомным, чтобы ток через R1 при открытом VS2 не мешал закрытию этого динистора в процессе разряда емкостей контура.
Резистор R3 ограничивает ток потребления лазера при выходе его из строя, например при пробое динисторов.
Резистор Rш предназначен для подгонки параметров лазеров методом их усреднения, т.е. чем лучше лазер, тем сильнее его надо шунтировать, уменьшая номинал Rш. Этот метод вносит наибольший вклад в уменьшение к.п.д. лазера. А всё дело в том, что разработчикам не удалось убедить заказчика использовать регулируемый линейный стабилизатор напряжения для питания лазера. Тогда бы отпала необходимость в использовании R3 и Rш.
Применение.ЛПИ-101 широко применяется в лазерном терапевтическом оборудовании:
- в аппаратах лазерной терапии: «Орион», «Узор-А-2К», «МИЛТА», «Мустанг»;
- в аппарате магнито-свето-лазерной терапии «Рикта».

 

1.2. ЛПИ-102. http://www.155la3.ru/images/lpi102_1.jpg
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
Корпус и внешний вид аналогичны ЛПИ-101.
Конструктивно и схемотехнически приборы — одинаковы. http://www.155la3.ru/images/lpi102_4.jpg.
Параметры ЛПИ-102 также близки ЛПИ-101 и лишь немного уступают последнему.
Технические характеристики: http://www.155la3.ru/datafiles/lpi1xx.pdf
Схема включения:аналогична ЛПИ-101.
Фактически ЛПИ-102 является несколько худшей копией ЛПИ-101, поэтому возникает вопрос: зачем нужно было его разрабатывать?
Применение.ЛПИ-102 применяется в том же лазерном терапевтическом оборудовании, что и ЛПИ-101.
1.3. ЛПИ-105.
Лазер разработан в отделе квантовой электроники НИИ «Волга», г. Саратов, в 1988 году для замены ЛПИ-101 и ЛПИ-102. Ныне — это предприятие называется НПО «Инжект». Выпускался серийно Саратовским НПО «Рефлектор» до конца 1991 года.
ЛПИ-105 имеет более совершенную схему генератора импульсов тока накачки, реализованную на основе тонкоплёночной гибридной технологии на поликоровой плате. Все резисторы и дорожки сформированы с помощью фотолитографии.
Монтаж навесных бескорпусных элементов на плату — с помощью эпоксидного клея (кроме зарядного транзистора VT2) с разваркой их выводов с помощью ультразвуковой термокомпрессии. Для улучшения теплоотвода VT2 напаян на плату гибридной схемы.
В цепи заряда емкостей контура C1+C2 собран эмиттерный повторитель на транзисторе VT2, управляемый усилителем напряжения на транзисторе VT1 с общим эмиттером. Каскад на VT1 предназначен для запирания цепи заряда на время прохождения импульса запуска, когда происходит формирование импульса тока накачки. Каскад на VT2 является термостабилизированным генератором тока заряда емкостей контура. Метод термостабилизации — косвенный, с помощью миниатюрного бескорпусного термистора R3 с отрицательным ТКС, расположенного на плате гибридной схемы. Это позволяет поддерживать паспортное значение излучаемой мощности во всём диапазоне рабочих температур (-60÷+70)°С.
В генераторе накачки используются следующие комплектующие:
- транзисторы VT1, VT2 типа КТ625А-2 (2Т625А-2) и VT3 типа КТ 388А-2 (2Т388А-2);
- диодные матрицы VD1÷VD3 типа КД907Б-1 (2Д907Б-1);
— миниатюрный термистор R3 типа СТ3-19.
Диодная матрица VD1 является зарядным диодом и не участвует в разряде, т.к. её запирает VD4 (ЛД) своим прямым смещением. И наоборот, ЛД не участвует в заряде емкостей контура, т.к. его запирает VD1 своим прямым смещением. Диодная матрица VD2 препятствует пробою перехода база-эмиттер VT2 при его запирании во время прохождения импульса запуска.
Тринистор VS1 — импульсный, эпитаксиально-планарный на основе GaAs. Позволяет формировать импульсы тока накачки длительностью (90÷100) нс, амплитудой до 70А с фронтами по (10÷15) нс в данной конструкции разрядного контура, периметр которого сведён до минимума в 20 мм.
На управляющий электрод VS1 работает третий каскад, собранный на транзисторе VT3 по схеме усилителя напряжения с общим эмиттером. Дифференцирующая цепь R4 C3 R5 втрое укорачивает импульс, приходящий на базу VT3 с выхода первого каскада, чтобы тринистор успевал закрыться за время прохождения импульса запуска. Для защиты перехода база-эмиттер VT3 от пробоя обратными импульсами, образующимися после дифференцирования, используется диодная матрица VD3. Этот каскад вырабатывает импульс запуска тринистора положительной полярности.
ЛД – импульсный многомодовый ИК-диапазона. Лазерный кристалл изготовлен из эпитаксиальной односторонней гетероструктуры (ЭОГС) на основе GaAs/AlGaAs. Эта лазерная структура имеет большие запасы по мощности, мало уступает ДГС по плотности порогового тока и по эффективности, зато имеет однолепестковую диаграмму направленности, позволяющую избежать потерь мощности при измерении в стандартном телесном угле 40°. Таким образом, удалось обойтись всего одним кристаллом в ЛД, реализовав параметры, превосходящие ЛПИ-101 и ЛПИ-102: по частоте — вдвое, а по мощности втрое-вчетверо.
Технические характеристики: http://www.inject-laser.ru/products/semiconducters_lasers/subpage1.ivp
У этого лазера впервые применён параметр «максимальная мощность импульса излучения» Pи.макс., которая представляет собой амплитудное значение импульса излучаемой мощности, вместо «средней мощности импульса излучения» Pи.ср., которая равна произведению средней мощности на скважность.
Конструкция ЛПИ-105. Основные элементы лазера — ЛД и тринистор - съёмные, что позволяет производить измерение их параметров и тренировки на соответствующем оборудовании и осуществлять подбор пар ЛД/тринистор. Кристалл тринистора смонтирован на отдельном поликоровом чипе. ЛД имеет открытую конструкцию без верхней контактной пластины и фиксируется на корпусе двумя винтами М1,6 с потайными головками.
Крышка ЛПИ-105 имеет оригинальную эстетичную конструкцию, в которой используется большое стекло, такое же, что и в больших ИЛПИ. Герметизируется с корпусом методом холодной сварки давлением. Поэтому габаритный диаметр ЛПИ-105 несколько больше, чем ЛПИ-101.
Корпус ЛПИ-105 аналогичен корпусу ЛПИ-101, но имеет два дополнительных вывода. Коллектор зарядного транзистора VT2, подключённый к выводу 5, запитан отдельно от других каскадов от регулируемого линейного стабилизатора напряжения для уменьшения влияния импульсных помех через источник питания. Вывод 2, к которому подключён анод тринистора, используется в процессе производства в качестве технологического для наблюдения за пилообразными импульсами релаксации, по величине и форме которых можно судить о качестве работы интегрального генератора накачки лазера и производить анализ брака. Сигнал с этого вывода выводится непосредственно на вход осциллографа. Заказчик может использовать задний фронт импульса релаксации после его дифференцирования для синхронизации своих устройств, например, фотоприёмника. Входное сопротивление такой схемы, подключаемой к выводу 2 — не менее 1 МОм.
Схема включения: Нумерация выводов на схеме не соответствует нумерации выводов корпуса, т.к. паспорта и ТУ у меня нет, а ломать единственный образец внешнего вида как-то не хочется.
Вывод 3 — вход лазера для импульсов внешнего запуска положительной полярности. При использовании импульсов амплитудой больше уровня TTL, можно применить импульсный стабилитрон, включённый последовательно перед резистором утечки Rутечки. Наличие этого резистора номиналом 2 кОм обязательно для устойчивой работы лазера во всём диапазоне рабочих температур (-60÷+70)°С.
Вывод 4 — питание усилителей генератора накачки фиксированным напряжением +30 В.
Вывод 5 — питание цепи заряда интегрального генератора накачки лазера индивидуальным стабилизированным напряжением в соответствии с паспортом на прибор.

 

Недостатки ЛПИ-105:
- в процессе разработки не удалось создать активную часть генератора в полностью интегральном исполнении в виде кремниевой ИМС, объединив в ней все транзисторы, резисторы и диоды. Хоть такая задача и не ставилась, но это позволило бы применить более сложную схему генератора;
- в ЛПИ-105 (как, впрочем, и в других лазерах) нет защиты от пропадания импульсов запуска при включённом питании. В этом случае, ёмкости контура заряжаются до напряжения питания, и первый же импульс запуска формирует импульс тока накачки, амплитуда которого превышает номинал. В итоге лазер излучает импульс повышенной мощности до 12 Вт. Однако технологические запасы ЛПИ-105 позволяют избежать катастрофической деградации кристалла его ЛД;
- при температурах ниже -50°С коэффициент усиления первого каскада падает и зарядный транзистор VT2 чуть-чуть приоткрывается. Этого оказывается достаточно, чтобы увеличить время закрывания тринистора VS1 в десять раз. Таким образом, длительность импульса запуска для ЛПИ-105 не может быть ниже 3,5 мкс при условии его использования при температурах ниже -50°С. Эта неприятность обнаружилась прямо перед опытной партией, когда менять что-либо было уже поздно, хотя техническое решение было найдено. По согласованию с заказчиком длительность импульса запуска была увеличена с 800 нс (как и у ЛПИ-101) до 9 мкс;
- резистор утечки не удалось расположить внутри ЛПИ, т.к. для него не хватило места на плате гибридной схемы генератора.
Применение.ЛПИ-105, помимо специзделий, применялся в лазерном терапевтическом оборудовании УГХ-01Л «ЭЛАТ». Патент № 2008955. Излучающие головки содержали по два лазера, работавшие на разных частотах и разное время по алгоритму, задаваемому процессором блока управления.
После развала производственной базы обнинского «Приборного завода Сигнал» в начале девяностых, выпуск «Элатов» прекратился. Министерство обороны ещё раньше «похоронило»лазер. Производство ЛПИ-105 в Саратовском НПО «Рефлектор» было также прекращено.
Жаль! Для своего времени это был отличный прибор, но, как и многое в нашей многострадальной стране, он пал жертвой разрухи.
1.4. ЛПИ-108. Фото лазера не опубликовано.
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
Имеет встроенный ФД обратной связи, расположенный, вероятно, напротив заднего зеркала лазерного кристалла, которое напылено частично прозрачным.
Тип лазерной структуры неизвестен. Возможные варианты: ДГС, РОДГС (с раздельным ограничением для носителей заряда и фотонов), ДГС с квантовыми эффектами (ямами или точками).
ЛД, судя по величине излучаемой мощности, имеет не один, а несколько кристаллов (скорее всего 2 для ДГС), собранных последовательно в виде блока. Мощность измеряется в полном угле, а не в 40° как у большинства лазеров. Заказчик, который на это согласился, явно не в погонах. На эту же мысль наводит и ограниченный диапазон рабочих температур.
Конструктивно лазер аналогичен ЛПИ-101.
Схема генератора накачки не опубликована, поэтому не ясно, как работает цепь обратной связи с генератором накачки и существует ли она внутри лазера.
Технические характеристики:http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...a23575c41c62570aa00619485/$FILE/LPI101rus.pdf
http://www.radiant.su/files/images/Voshod/kvant_technik_1.html
Схема включения: не опубликована.
Применение. ЛПИ-108 применяется в том же лазерном терапевтическом оборудовании, что и ЛПИ-101.
1.5. ЛПИ-120. http://stat.medikosnab.ru/items/1611/th_1540.jpg
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ». Конструктивно аналогичен ЛПИ-101.
Генератор накачки по-прежнему простой: цепь заряда ёмкости контура неуправляема. В отличие от ЛПИ-101, имеет ключ, организованный на кремниевой транзисторной сборке, а не на паре динисторов из арсенида галлия. Информацию по этой сборке найти не удалось. Возможно, её транзисторы включены по схеме Дарлингтона, т.е. как составной транзистор. Это решение, вообще-то говоря, спорное, т.к. транзисторы, тем более кремниевые, значительно уступают тиристорам всех типов (динисторам, тринисторам и симисторам), тем более арсенид-галлиевым, по перегрузочной способности и быстродействию.
Место, освободившееся от динисторов, занято одной большой ёмкостью С1.
Зарядный резистор R1 имеет ещё меньший номинал, чем в ЛПИ-101, что ещё больше снижает к.п.д. генератора накачки.
Тип лазерной структуры неизвестен. Возможные варианты: ДГС, РОДГС (с раздельным ограничением), ДГС с квантовыми эффектами (ямами или точками).
ЛД, судя по величине излучаемой мощности и низкой рабочей частоте, имеет не один, а несколько кристаллов (скорее всего 3 для ДГС), собранных последовательно в виде блока.
Технические характеристики:http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...a23575c41c62570aa00619485/$FILE/LPI101rus.pdf
http://www.radiant.su/files/images/Voshod/kvant_technik_1.html
Мощность измеряется в полном угле, а не в 40° как у большинства лазеров. Заказчик, который на это согласился, явно не в погонах.
Схема включения:
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...1c62570aa00619485/$FILE/shema_zap_LPI-120.pdf
Схема включения весьма своеобразна: по цепи запуска стоит эмиттерный повторитель, да ещё и на транзисторе средней мощности, что говорит об очень низком входном сопротивлении К724НТ1-3 и большом среднем токе запуска. Кроме того, для питания повторителя пришлось использовать ещё одно питающее напряжение +27 В. Вероятно, подключиться к питанию лазера +24 В не получилось, как и в ЛПИ-105.
Резистор Rш, предназначенный для подгонки параметров лазеров методом их усреднения, сохранён, что вносит наибольший вклад в уменьшение к.п.д. лазера.
Применение. ЛПИ-120 предназначен для использования в качестве источника оптического излучения в медицинском лазерном терапевтическом оборудовании, а также в различном лабораторном оборудовании и прочих отраслях науки и техники. В медицинской технике лазер ЛПИ-120 применяется для ремонта или замены в лазерном терапевтическом оборудовании: аппараты типа УЗОР-А-2К, Бином, Успех, Милта, Рикта, Мустанг.

 

1.6. ЛПИ-120-2.
http://stat.medikosnab.ru/items/1612/1539.jpg
http://www.medrk.ru/shop/photo/20518/shema/1.jpg
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
Прибор по параметрам сравним с ЛПИ-101. Конструктивно аналогичен ЛПИ-101. Внутренняя схема лазера аналогична ЛПИ-120.
Ток потребления слишком высок для такой величины излучаемой мощности. Вероятно, разрабатывался для замены ЛПИ-101 и ЛПИ-102 в гражданском применении, но уже с новым ключом на транзисторной сборке. На эту же мысль наводит и ограниченный диапазон рабочих температур.
Технические характеристики:
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...a23575c41c62570aa00619485/$FILE/LPI101rus.pdf
Схема включения: аналогична ЛПИ-120.
Применение. ЛПИ-120-2 предназначен для использования в качестве источника оптического излучения в медицинском лазерном терапевтическом оборудовании, а также в других медицинских аппаратах и прочих отраслях промышленности.
1.7. ЛПИ-121. Фото лазера не опубликовано.
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
ЛД, судя по величине излучаемой мощности, имеет один кристалл, что позволяет сделать вывод об использовании лазерной структуры типа ДГС.
Конструктивно аналогичен ЛПИ-101.
Схема генератора накачки не опубликована. Вероятно, разрабатывался для замены ЛПИ-105, хотя приёмка почему-то производится при комнатной температуре.
Технические характеристики:
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.n...a23575c41c62570aa00619485/$FILE/LPI101rus.pdf
http://www.radiant.su/files/images/Voshod/kvant_technik_1.html
Схема включения: не опубликована.
Применение. ЛПИ-121 применяется в качестве источника оптического излучения в медицинском лазерном терапевтическом оборудовании.
1.8. ЛПИ-122. Фото лазера не опубликовано.
Разработан ФГУП «НИИ «Полюс» и выпускается серийно ОАО «Восход-КРЛЗ».
Параметры лазера - выдающиеся: при размере тела свечения всего 200 мкм, мощность излучения не менее 20 Вт на частоте до 30 кГц, да ещё и в угле 30° и при температуре +65°С. Однако, настораживает большая нестабильность мощности до 30%. Это уже - ни в какие ворота..! То ли лазер перегревается и мощность «плывёт», то ли импульс тока накачки имеет «дрожание» вершины при плохой работе ключа. Да и напряжение питания для такой мощности высоковато.
Технические характеристики:
http://www.cislaser.com/rus/k1-polus.htm
http://www.voshod-krlz.ru/product/36
Схема включения: не опубликована.
Применение. ЛПИ-122 применяется в качестве источника оптического излучения в медицинском лазерном терапевтическом оборудовании.

2. Полупроводниковые инжекционные гетеролазеры большой мощности.​

ФГУП «НИИ «Полюс» в последние годы разработал серию высокомощных импульсных лазеров: ЛПИ-110, ЛПИ-111, ЛПИ-112, ЛПИ-113.
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.nsf/cae24731d248549fc6256d53006dcde3/fb63a74926c9e328c62577e3003b3520/AddDescription/0.F2!OpenElement&FieldElemFormat=jpg
Лазеры предназначены для использования в качестве мощных источников ИК-лазерного излучения в устройствах оптической локации, спецтехнике, медицине. Лазеры выполнены с применением матриц арсенид-галлиевых излучающих лазерных диодов. Конструктивно изготовлены в цилиндрических металлических корпусах с выводом излучения через стеклянное окно с встроенными гибридными микросборками генераторов токов накачки и без них. Вообще-то, если прибор без генератора накачки, то это уже не лазер, а лазерная решётка. Скорее всего, это касается ЛПИ-111.
Номенклатура и параметры выпускаемых типономиналов опытных образцов:
http://chip.tomsk.ru/chip/ChipDoc.nsf/cae24731d248549fc6256d53006dcde3/fb63a74926c9e328c62577e3003b3520!OpenDocument
Во всех этих лазерах применены большие блоки кристаллов, о чём говорят низкие рабочие частоты ЛПИ-111 ÷ ЛПИ-113. Однако, ЛПИ-110 удалось вывести аж на 10 кГц! Правда при минимальной мощности из всей группы. Средние мощности у ЛПИ-110 и ЛПИ-113 достигают 200 мВт.
Диапазон рабочих температур не приводится, а приёмка осуществляется при комнатной температуре. Кроме того, у ЛПИ-112 и ЛПИ-113 мощность измеряется в полном угле. Вряд ли это устроит заказчика в погонах.
Другой информации об этих приборах пока не обнаружено.
Высокая выходная мощность реализована также за счёт напряжения питания в сотни вольт. Вряд ли интегральные генераторы накачки при этом сильно усложнились.
Заключение.
В этом популярном обзоре я описал только те лазеры, информация о которых открыта и доступна в инете. Кроме этих приборов, конечно же, есть лазеры, применяемые только для специзделий. А там есть удивительные ЛПИ… Информация о них пока закрыта, но подождём немного. Всё тайное когда-нибудь становится явным.

 

В ЛПИ-105 могло бы быть меньше "понапихано", если бы основная часть генератора представляла собой кремниевую ИМС. Правда, ГИС всё равно бы осталась, т.к. ёмкости в ИМС не запихнёшь.
Амеры купили несколько лазеров ЛПИ-105 через какую-то турецкую компанию и, думаю, поковырялись в них изрядно. Возможно, были удивлены. По крайней мере, в те годы (1988-1990) у них не было полупроводникового лазера с такими параметрами.

 

а про ЛПИ-103 есть какая-нибудь информация? будет ли он работать с частотой запускающего импульса 1 кГц?

 

А кто-нибудь подскажет, в лазерных медицинских приборах типа Милта, а тем более Милта-Био используется лазер ЛПИ-101 или ЛПИ-120. Мощность ЛПИ-101 - 3Вт, а ЛПИ-120 - 15Вт. Однако они продают приборы с мощностью до 22 Вт, http://miltalaser.ru/apparaty-milta-f-01/milta-bio/apparat-milta-bio-0-22-vt.htm Как такое возможно, лазер же дает заметно меньшую мощность? Или врут?

 

да это в принципе кусок вранья уплотненный
и насколько помню - это импульсная мощность (в смысле у ЛПИ), а средняя - миливатты

 

завод изготовитель указывает "Средняя мощность импульса лазерного излучения" http://www.voshod-krlz.ru/product/36
Я и не говорю о непрерывной мощности. Все в слове "средняя" вероятно.

 

Ну а каким образом в Милта-Био мощность лазера меняется от 0 там до 7,9,15,18,22 Ватт ? Лазер то один и тот же...

 

А может скважностью импульсов?

 

Что значит током в импульсе? Изменением амплитуды? Так он может вовсе не запуститься. Вот скважностью, т.е. длительностью импульса, может так...
200 нс импульс - условно 10Вт, а 100 нс - 5Вт... Как считаете?

 

=мощность лазера меняется от 0 там до 7,9,15,18,22 Ватт
В импульсе обычно указывают энергию в Джоулях. Кроме того согласись изменение скважности проще организовать чем 3-х кратное повышене тока!

 

От ширины импульса зависит импульсная мощность?

 

и от амплитуды

 

Тем более, ширину - меняй не хочу...